多晶硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:
A: Cl*
B: F*
C: Ar*
D: P*
A: Cl*
B: F*
C: Ar*
D: P*
A,B
举一反三
内容
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什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？
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关于干法和湿法刻蚀说法错误的是() A: 湿法刻蚀保真度较差 B: 干法刻蚀选择性较差 C: 干法刻蚀均匀性较好 D: 干法刻蚀清洁性较好
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下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: 二氧化硅氮化硅 B: 多晶硅硅化金属 C: 单晶硅多晶硅 D: 铝铜 E: 铝硅
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干法刻蚀一般通过气体放电产生离子或者活性基对薄膜进行刻蚀，干法刻蚀可以实现各向异性刻蚀，原因是</p></p>
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干法刻蚀和湿法刻蚀二者中，通常（）的刻蚀选择比较高，（）的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀