下列关于晶圆中缺陷的叙述正确的是
A: 晶圆表面的缺陷和位错必须非常低，以保障做在上面的晶体管微电子元件的质量。
B: 硅表面缺陷会造成电子散射而导致电阻增加并影响元器件的性能。
C: 缺陷的硅悬浮键会束缚杂质原子使其无法移动. 利用这一性质，可以在晶圆背面引入缺陷来捕获晶圆内部的污染粒子。
D: 硅晶圆表面的缺陷会降低集成电路芯片的成品率。
A: 晶圆表面的缺陷和位错必须非常低，以保障做在上面的晶体管微电子元件的质量。
B: 硅表面缺陷会造成电子散射而导致电阻增加并影响元器件的性能。
C: 缺陷的硅悬浮键会束缚杂质原子使其无法移动. 利用这一性质，可以在晶圆背面引入缺陷来捕获晶圆内部的污染粒子。
D: 硅晶圆表面的缺陷会降低集成电路芯片的成品率。
举一反三
- 集成电路的主要制造流程是（） A: 硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试 B: 硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路 C: 晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路 D: 硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
- 集成电路的主要制造流程是（） A: A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试 B: B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路 C: C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路 D: D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
- 沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。 A: 不会影响成品率 B: 晶圆缺陷 C: 成品率损失 D: 晶圆损失
- 下列缺陷属于面缺陷的是 A: 晶界 B: 空位 C: 自由表面 D: 螺旋位错
- 硅圆片的供货状态及特点错误的是 A: 抛光片：表面呈闪闪发光的镜面状态 B: 外延片：硅片表面为基本无缺陷层 C: 退火硅圆片：硅片表面附近为少缺陷层 D: SOI：硅片表面为基本无缺陷层