题6、集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。
A: 元器件的组成部分（如栅氧化层）
B: 源漏极
C: 互连层间绝缘介质
D: 作为掩蔽膜
A: 元器件的组成部分（如栅氧化层）
B: 源漏极
C: 互连层间绝缘介质
D: 作为掩蔽膜
举一反三
- 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。 A: 元器件的组成部分（如栅氧化层） B: 源漏极 C: 互连层间绝缘介质 D: 作为掩蔽膜
- 单晶硅片出厂前需氧化形成一层二氧化硅膜层，作为集成电路的绝缘层或隔离介质。（ ）
- 二氧化硅的作用有哪些？ A: 选择性扩散的掩蔽层 B: 器件的保护和钝化层 C: 隔离和绝缘介质 D: MOS管的绝缘栅材料
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
- Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶电容介质 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（ ）的掩蔽膜。 A: ⑴ B: ⑵ C: ⑶ D: ⑴⑵