单晶硅片出厂前需氧化形成一层二氧化硅膜层，作为集成电路的绝缘层或隔离介质。（ ）
举一反三
- 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。 A: 元器件的组成部分（如栅氧化层） B: 源漏极 C: 互连层间绝缘介质 D: 作为掩蔽膜
- 题6、集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。 A: 元器件的组成部分（如栅氧化层） B: 源漏极 C: 互连层间绝缘介质 D: 作为掩蔽膜
- 硅为什么会作为主要的集成电路原材料？ A: 储量丰富，便宜。 B: 硅的氧化物二氧化硅是优质的掺杂屏蔽层 C: 单晶硅表面形成氧化层非常容易，可以对单晶硅起到保护作用。 D: 带隙宽，操作温度和杂质掺杂的范围较大。
- 铝的阳极氧化氧化膜的生成包括两个同时进行的过程，一个是（）过程，形成氧化膜，另一个是（）过程。氧化膜的结构包括（）层和（）层。
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷