集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。
A: 元器件的组成部分（如栅氧化层）
B: 源漏极
C: 互连层间绝缘介质
D: 作为掩蔽膜
A: 元器件的组成部分（如栅氧化层）
B: 源漏极
C: 互连层间绝缘介质
D: 作为掩蔽膜
B
举一反三
- 题6、集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。 A: 元器件的组成部分（如栅氧化层） B: 源漏极 C: 互连层间绝缘介质 D: 作为掩蔽膜
- 单晶硅片出厂前需氧化形成一层二氧化硅膜层，作为集成电路的绝缘层或隔离介质。（ ）
- 二氧化硅的作用有哪些？ A: 选择性扩散的掩蔽层 B: 器件的保护和钝化层 C: 隔离和绝缘介质 D: MOS管的绝缘栅材料
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
- Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶电容介质 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（ ）的掩蔽膜。 A: ⑴ B: ⑵ C: ⑶ D: ⑴⑵
内容
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去膜工艺中的“膜”是指： A: ITO膜 B: 二氧化硅层 C: 光刻胶 D: 保护膜
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以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。 A: MOS器件源漏精确掺杂 B: 形成浅结 C: 调节MOS器件阈值电压 D: 形成互连
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关于抑制栅感应漏端泄漏电流说法错误的是（）。 A: 采用突变结 B: 采用更高介电常数的氧化层 C: 降低氧化层厚度 D: 减小源漏区域的交叠
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光纤的主要材料是（） A: 二氧化锗 B: 二氧化硅 C: 三氧化二硼 D: 五氧化二磷
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铝的阳极氧化氧化膜的生成包括两个同时进行的过程，一个是（）过程，形成氧化膜，另一个是（）过程。氧化膜的结构包括（）层和（）层。