简述化学气相沉积法的五个基本步骤
A.反应物已扩散通过界面边界层；B.反应物吸附在基片的表面；C.化学沉积反应发生；D. 部分生成物已扩散通过界面边界层；E.生成物与反应物进入主气流里，并离开系统。CVD反应是由这五个主要步骤所构成的。因为进行这五个的发生顺序成串联，因此CVD反应的速率取决于步骤，将由这五个步骤里面最慢的一个来决定。
举一反三
内容
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简述化学气相沉积生产装置
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以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有（ ）。 A: 液相外延（LPE）法 B: 化学气相沉积（CVD）法 C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法 D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
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简述化学气相沉积原理及其应用。
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化学气相沉积法的原理是什么？
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化学气相沉积法的概念是什么？