LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小， 。
A: 适用于GaAs材料
B: 适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺
C: 适应于Al材料
D: 适用于已形成PN结的硅器件工艺
A: 适用于GaAs材料
B: 适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺
C: 适应于Al材料
D: 适用于已形成PN结的硅器件工艺
举一反三
- 中国大学MOOC: LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小，
- 焊接工艺适用于（）材料。 A: 金属 B: 塑料 C: 陶瓷 D: 以上都适用
- 肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括() A: 肖特基二极管是多子器件,而PN结二极管是少子器件 B: 肖特基二极管无电荷存储,而PN结二极管有电荷存储效应 C: 肖特基二极管适用于高频器件,而PN结二极管适用于低频器件 D: 肖特基二极管开启电压相对较小
- 下列有关面接触型二极管的说法,正确的是。 A: PN结面积小，适用于高频情况 B: PN结面积大，适用于高频情况 C: PN结面积小，适用于低频情况 D: PN结面积大，适用于低频情况
- 下列有关面接触型二极管的说法，正确的是 。 A: PN结面积小，适用于高频情况 B: PN结面积大，适用于高频情况 C: PN结面积小，适用于低频情况 D: PN结面积大，适用于低频情况