中国大学MOOC: LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小，
举一反三
- LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小， 。 A: 适用于GaAs材料 B: 适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺 C: 适应于Al材料 D: 适用于已形成PN结的硅器件工艺
- 在淀积好金属层之外，通常采用LPCVD法来淀积SiO2。
- 在淀积好金属层之外，通常采用LPCVD法来淀积SiO2。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
- 利用旋涂玻璃进行平坦化时采用的“三明治”结构为:PECVD 淀积第一层SiO2;SOG 的涂布与固化;LPCVD 淀积第二层SiO2 。( )