硅的导带极小值位于布里渊区的 方向上,根据晶体对称性共有 个等价能谷。
A: 100> 3
B: 100> 6
C: [100] 3
D: [100] 6
A: 100> 3
B: 100> 6
C: [100] 3
D: [100] 6
举一反三
- 硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处 A: ＜110＞ B: ＜100＞ C: ＜111＞ D: [110]
- 硅导带结构为（）。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
- GaAs的导带极值位于布里渊区( )。 A: 中心 B: 111>方向边界处 C: 100>方向边界处 D: 110>方向边界处
- 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
- 美国参议院有()名议员?任期()年? A: 100；6 B: 150；3 C: 100；3 D: 150；6