GaAs的导带极值位于布里渊区( )。
A: 中心
B: 111>方向边界处
C: 100>方向边界处
D: 110>方向边界处
A: 中心
B: 111>方向边界处
C: 100>方向边界处
D: 110>方向边界处
举一反三
- 硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处 A: ＜110＞ B: ＜100＞ C: ＜111＞ D: [110]
- 砷化镓的导带极值位于在布里渊区（ ）。 A: 中心 B: <111>方向近边界处 C: <100>方向近边界处 D: <110>方向近边界处
- 砷化镓的导带极值位于在布里渊区（ ）。 未知类型：{'options': ['中心', '[111]方向近边界处', '[100]方向近边界处', '[110]方向近边界处'], 'type': 102}
- 硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
- 硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 未知类型：{'options': ['[110]', '[100]', '[111]', '[110]'], 'type': 102}