硅的导带极值位于( )方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。
A: <110>
B: <100>
C: <111>
D: [110]
A: <110>
B: <100>
C: <111>
D: [110]
B
举一反三
- 硅的导带极值位于 A: 布里渊区中心 B: <111>方向 C: <110>方向 D: <100>方向
- 砷化镓的导带极值位于在布里渊区( )。 A: 中心 B: <111>方向近边界处 C: <100>方向近边界处 D: <110>方向近边界处
- 硅的导带极值位于()方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
- GaAs的导带极值位于布里渊区( )。 A: 中心 B: 111>方向边界处 C: 100>方向边界处 D: 110>方向边界处
- 硅晶体的导带低位于布里渊区中的什么位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
内容
- 0
硅的导带极值位于( )方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 未知类型:{'options': ['[110]', '[100]', '[111]', '[110]'], 'type': 102}
- 1
面心立方密排面、密排方向分别为 A: {111}, <110> B: {110}, <111> C: {100}, <111> D: {111}, <111>
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硅导带结构为()。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
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1.面心立方结构的滑移系为( )。 A: {111} <110> B: {110} <111> C: {110} <112> D: {110} <123>
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一、 单项选择(每小题1分,共20分) 在体心立方晶体中的滑移系是 。 A: {111}<110> B: {110}<111> C: {111}<111> D: {110}<110>