硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。
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举一反三
- 砷化镓的导带极值位于在布里渊区（ ）。 未知类型：{'options': ['中心', '[111]方向近边界处', '[100]方向近边界处', '[110]方向近边界处'], 'type': 102}
- 硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处 A: ＜110＞ B: ＜100＞ C: ＜111＞ D: [110]
- GaAs的导带极值位于布里渊区( )。 A: 中心 B: 111>方向边界处 C: 100>方向边界处 D: 110>方向边界处
- 硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
- 面心立方晶体受力时的滑移方向为( ) 未知类型：{'options': ['[111]', '[110]', '[100]', '[112]'], 'type': 102}