关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 请对p型MOS电容的高频区和低频区的C-V特性进行分析。 请对p型MOS电容的高频区和低频区的C-V特性进行分析。 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______ 高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。 在一定信号频率下，对MIS结构进行光照可引起C-V特性从高频型向低频型过渡。 H参数微变等效电路适用于分析（ ）。 A: 低频及中频区 B: 中频及高频区 C: 低频及高频区 D: 低频、中频及高频区 在一定信号频率下，对MIS结构进行光照可引起C-V特性从高频型向低频型过渡。 A: 正确 B: 错误
