关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-30 高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。 高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______ 低频MIS的C-V曲线，电容最低点出现在五种状态中的耗尽状态。 当时,实际MIS结构的C-V曲线相对于理想MIS结构的C-V曲线()移动。 A: 向上 B: 向下 C: 向左 D: 向右 中国大学MOOC: 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
