关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-30 在一定信号频率下，对MIS结构进行光照可引起C-V特性从高频型向低频型过渡。 A: 正确 B: 错误 在一定信号频率下，对MIS结构进行光照可引起C-V特性从高频型向低频型过渡。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 在一定信号频率下，对MIS结构进行光照可引起C-V特性从高频型向低频型过渡。 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______ 高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。 请对p型MOS电容的高频区和低频区的C-V特性进行分析。 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
