通常情况下，金属的功函数较大，则形成的肖特基势垒（）。
A: 大
B: 小
C: 不确定
D: 与半导体的功函数也有关系
A: 大
B: 小
C: 不确定
D: 与半导体的功函数也有关系
举一反三
- 金属和P型半导体接触时,当金属功函数大于半导体功函数,理想情况下会形成()。 A: 肖特基接触 B: 欧姆接触
- 金属和P型半导体接触时,当金属功函数小于半导体功函数,理想情况下会形成()。 A: 肖特基接触 B: 欧姆接触
- 理想肖特基势垒二极管的肖特基势垒大小由什么因素决定?(<br/>) A: 金属功函数大小 B: 半导体亲合能大小 C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置 D: 金属功函数和半导体亲和能之差
- 平衡态的肖特基势垒二极管半导体势垒区势垒的高度由什么因素决定?(<br/>) A: 金属功函数大小 B: 半导体亲合能大小 C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置 D: 金属功函数和半导体亲和能之差
- 考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（） A: 功函数为3.5eV的半导体 B: 功函数为3eV的半导体 C: 功函数为4eV的半导体 D: 功函数为4.2eV的半导体