对一定的材料，掺杂浓度NA越大，耗尽层宽度xdm（ ）。
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 随掺杂浓度线性增加
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 随掺杂浓度线性增加
举一反三
- 衬底的掺杂浓度越大,MOS管的阈值电压()。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不确定
- 在一定温度下，关于突变结的接触电势差，下列说法正确的是 A: p区掺杂浓度越高，接触电势差越小 B: n区掺杂浓度越高，接触电势差越小 C: 禁带宽度越大，接触电势差越小 D: 本征载流子浓度越大，接触电势差越小
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
- 半导体的掺杂浓度越高，半导体的电导率 ，半导体的电阻率 A: 越大，越小 B: 越大，越大 C: 越小，越大 D: 越小，越小
- 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小