耗尽层宽度W
举一反三
- 在MIS结构中，如果耗尽层宽度大于强反型的最大耗尽层宽度，则其处于下列哪种状态 A: 耗尽状态 B: 深耗尽状态 C: 弱反型 D: 强反型
- 下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
- MIS空间电荷层也可以叫耗尽层。
- PN结的耗尽层宽度会受外加电压影响，施加反向电压，宽度变小。
- 线性缓变结的耗尽层宽度正比于【图片】。