在MIS结构中，如果耗尽层宽度大于强反型的最大耗尽层宽度，则其处于下列哪种状态
A: 耗尽状态
B: 深耗尽状态
C: 弱反型
D: 强反型
A: 耗尽状态
B: 深耗尽状态
C: 弱反型
D: 强反型
举一反三
- 下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- MIS结构中,以下( )状态对应的半导体空间电荷层为电中性态。jj A: 积累 B: 平带 C: 耗尽 D: 反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？ A: 本征状态 B: 平坦能带状态 C: 多子积累状态 D: 深耗尽状态