测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。
A: 饱和
B: 截止
C: 可变电阻
D: 无法判断
A: 饱和
B: 截止
C: 可变电阻
D: 无法判断
A
举一反三
- 测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 A: 饱和 B: 截止 C: 可变电阻 D: 无法判断
- 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态 A: 恒流 B: 可变电阻 C: 预夹断临界点 D: 截止
- 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 A: 恒流区（饱和区、放大工作区） B: 可变电阻区 C: 预夹断临界点 D: 截止区
- 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
- 测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。 A: 饱和区 B: 预夹断临界点 C: 可变电阻区 D: 截止区
内容
- 0
测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1V,则该管工作在( ) A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
- 1
测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1.5V,则该管工作在( )。 A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
- 2
增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在。 A: 非饱和区 B: 截止区 C: 饱和区 D: 线性区
- 3
当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（ ）区。 A: 可变电阻 B: 截止区 C: 恒流区（饱和区） D: 不能确定
- 4
N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置