中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
举一反三
- 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态 A: 恒流 B: 可变电阻 C: 预夹断临界点 D: 截止
- 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 A: 恒流区（饱和区、放大工作区） B: 可变电阻区 C: 预夹断临界点 D: 截止区
- 测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 A: 饱和 B: 截止 C: 可变电阻 D: 无法判断
- 测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 A: 饱和 B: 截止 C: 可变电阻 D: 无法判断
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置