关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入! 2022-10-30 5.对于P+N结来说,若反向偏置电压不变,N区的掺杂浓度越低,则耗尽层宽度( )。 A: 越宽 B: 越窄 C: 不变 D: 与N区的掺杂浓度无关 5.对于P+N结来说,若反向偏置电压不变,N区的掺杂浓度越低,则耗尽层宽度( )。A: 越宽 B: 越窄 C: 不变 D: 与N区的掺杂浓度无关 答案: 查看 举一反三 n型半导体,费米能级越靠近导带底,其掺杂浓度( )。 A: 越高 B: 越低 C: 不变 D: 以上都不对 单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。 若形成PN结的原始衬底材料的掺杂浓度越低,则该PN结反偏时所对应的空间电荷区宽度就越宽。 卷烟品类宽度的基本布局是越往高端,品类宽度应()。 A: 越宽\n B: 越窄\n C: 不变\n D: 多变 单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。 A: 正确 B: 错误