在常温下,硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V
举一反三
- 在常温下,硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V;锗二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 在常温下,硅二极管的门槛电压约为__ V,导通后在较大电流下的正向压降约为__ V锗二极管的门槛电压约为 __ V,导通后在较大电流下的正向压降约为___ V。
- 常温下,硅二极管的开启电压(死区电压)约为v;导通后在较大电流下的正向电压约为v。锗二极管的开启电压(死区电压)约为v;导通后在较大电流下的正向电压约为v。
- 在常温下,硅二极管的门限电压约为(__)V,饱和导通后正向压降约为(__)V;锗二极管的门限电压约为(__)V,饱和导通后正向压降约为(__)V;发光二极管饱和导通后正向压降约为(__)V。