常温下，硅二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。锗二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。
0.5V#0.6-0.8V（或0.7V）#0.1V#0.2-0.3V（或0.2V）
举一反三
内容
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按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
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二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
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在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
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二极管的正向特性曲线中有一段“死区电压”，硅管的死区电压约为（ ）V；锗管的死区电压约为（ ）V。
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【填空题】常温下,硅二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V,锗二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V