缓变基区晶体管的基区自建电场不利于少子通过基区
错误
举一反三
内容
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中国大学MOOC: 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（ ）。
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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缓变基区晶体管的特征频率一般()均匀基区晶体管的特征频率。
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在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}