对于窄沟道NMOSFET来说,使用STI(氧化物浅槽隔离)会使得沟道变窄时阈值电压()
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
举一反三
- 对于实际NMOSFET来说,亚阈值摆幅随沟道长度减小而( ) A: 增大 B: 减小 C: 不变
- 短沟道效应会引起的变化是( )。 A: 沟道长度减小,阈值电压增大 B: 沟道长度减小,阈值电压减小 C: 沟道长度减小,阈值电源不变 D: 沟道长度减小,阈值电压不一定
- 短沟道效应会引起的变化是( )。 A: 沟道长度减小,阈值电压增大 B: 沟道长度减小,阈值电压减小 C: 沟道长度减小,阈值电源不变 D: 沟道长度减小,阈值电压变化不一定
- ()会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- 窄沟道效应导致NMOSFET阈值电压增大。 A: 对 B: 错 C: 视情况而言