窄沟道效应导致NMOSFET阈值电压增大。
A: 对
B: 错
C: 视情况而言
A: 对
B: 错
C: 视情况而言
举一反三
- 以下哪个因素导致NMOSFET阈值电压升高？ A: 源漏电荷分享 B: 窄沟道效应 C: 漏感应势垒降低效应 D: 载流子速度饱和效应
- 短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定
- 对于窄沟道NMOSFET来说，使用STI（氧化物浅槽隔离）会使得沟道变窄时阈值电压（） A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 不确定
- 不定项选择：反常短沟道效应主要是造成衬底沟道的等效掺杂浓度降低了。 A: 对 B: 错 C: 视情况而言
- DIBL效应导致NMOSFET的阈值电压（ ） A: 变小 B: 变大 C: 不变 D: 不确定