一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1802f7f9b13da81.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9b9b939d.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1802f7f9c1f359f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9ca8d221.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1802f7f9d35a265.png[/img]。
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举一反三
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803c7aa030c30c.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa0c1d378.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803c7aa1447bed.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa1d6504c.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803c7aa25de3f4.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 已知随机变量X的密度函数为f(x)，分布函数为F(x)，且f(-x)=f(x)，则对任意的实数a，有 未知类型：{'options': ['F(-a)=F(a)', ' F(-a)=2F(a)-1', ' [img=171x38]17e0a9484e20c4f.jpg[/img]', ' [img=158x38]17e0a94858a15df.jpg[/img]'], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]180357639045026.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]180357639a86422.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]18035763a2319ad.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]18035763aa909ac.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]18035763b2e2281.png[/img]。 A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img] B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img] C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img] D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]
- 已知[img=14x17]17da42772c32d0b.jpg[/img]为f(x)的一个原函数，则f(x)为（） 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}