一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]180357639045026.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]180357639a86422.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]18035763a2319ad.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]18035763aa909ac.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]18035763b2e2281.png[/img]。
A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img]
B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img]
C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img]
D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]
A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img]
B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img]
C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img]
D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]
举一反三
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803c7aa030c30c.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa0c1d378.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803c7aa1447bed.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa1d6504c.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803c7aa25de3f4.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1802f7f9b13da81.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9b9b939d.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1802f7f9c1f359f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9ca8d221.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1802f7f9d35a265.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- X为随机变量，E(X)=-1,D(X)=3,则[img=105x27]17de66c4ef75d99.png[/img] A: 18 B: 9 C: 30 D: 32
- 1.设随机变量X的密度为[img=186x61]18034ea953ec9dd.png[/img]则常数A=________，概率[img=146x25]18034ea95d30d08.png[/img]__________. A: A=2，P(X>1|X<2)=[img=39x24]18034ea9659b618.png[/img] B: A=-2，P(X>1|X<2)=[img=39x24]18034ea9659b618.png[/img] C: A=2，P(X>1|X<2)=[img=47x44]18034ea9768a8c2.png[/img] D: A=-2，P(X>1|X<2)=[img=47x44]18034ea9768a8c2.png[/img]