• 2022-06-19
    一个理想的MOS电容器,p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]180357639045026.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]180357639a86422.png[/img]时,阈值电压为[img=37x19]18035763a2319ad.png[/img],则当氧化层厚度为[img=49x22]18035763aa909ac.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]18035763b2e2281.png[/img]。
    A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img]
    B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img]
    C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img]
    D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]
  • A

    举一反三

    内容

    • 0

      1.设随机变量X的密度为[img=186x61]17de8981070b17c.png[/img]则常数A=________,概率[img=146x25]17de8981130ab0e.png[/img]__________. 未知类型:{'options': ['A=2,P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=-2,P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=2,P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]', 'A=-2,P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]'], 'type': 102}

    • 1

      1.设随机变量X的密度为[img=186x61]17de8981070b17c.png[/img]则常数A=________,概率[img=146x25]17de8981130ab0e.png[/img]__________. 未知类型:{'options': ['A=2,P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=-2,P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=2,P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]', 'A=-2,P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]'], 'type': 102}

    • 2

      ‌X为随机变量,E(X)=-1,D(X)=3,则E(3[img=24x22]1803da40b5dbfd6.png[/img]+20)=( )‎ A: 18 B: 9 C: 30 D: 32

    • 3

      X为随机变量,E(X)=-1,D(X)=3,则E(3[img=24x22]1803da40ac7a8ce.png[/img]+20)=( ) A: 18 B: 9 C: 30 D: 32

    • 4

      X为随机变量,E(X)=-1,D(X)=3,则E(3[img=24x22]1803381b293bffb.png[/img]+20)=( ) A: 18 B: 9 C: 30 D: 32