一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803c7aa030c30c.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa0c1d378.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803c7aa1447bed.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa1d6504c.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803c7aa25de3f4.png[/img]。
未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
举一反三
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1802f7f9b13da81.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9b9b939d.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1802f7f9c1f359f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9ca8d221.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1802f7f9d35a265.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]180357639045026.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]180357639a86422.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]18035763a2319ad.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]18035763aa909ac.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]18035763b2e2281.png[/img]。 A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img] B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img] C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img] D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]
- 设X，Y为两个随机变量，且[img=179x25]1803395d555effc.png[/img] , [img=226x25]1803395d61f1a43.png[/img] ,则[img=143x25]1803395d6f00057.png[/img]= ( )． A: 1/7 B: 3/7 C: 4/7 D: 5/7
- 设(X,Y)的分布律为[img=317x47]18039fa216cb556.png[/img]V=max(X,Y), 则P(V=1)等于 A: 1/7 B: 2/7 C: 3/7 D: 4/7