一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。
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举一反三
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803c7aa030c30c.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa0c1d378.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803c7aa1447bed.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa1d6504c.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803c7aa25de3f4.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1802f7f9b13da81.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9b9b939d.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1802f7f9c1f359f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9ca8d221.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1802f7f9d35a265.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]180357639045026.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]180357639a86422.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]18035763a2319ad.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]18035763aa909ac.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]18035763b2e2281.png[/img]。 A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img] B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img] C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img] D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802d3b369ab5fe.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802d3b372fb534.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802d3b37bbbf05.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18034b986fbc78a.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18034b98781508a.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18034b9880d080a.png[/img]