• 2022-10-31
    一个理想的MOS电容器,p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时,阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img],则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。
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  • A

    举一反三

    内容

    • 0

      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18033e117e9725e.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18033e11879f263.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18033e1190d2ef2.png[/img]

    • 1

      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18036372a260d4c.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18036372aa45c90.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18036372b2a31e1.png[/img]

    • 2

      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18032aad1d9bd98.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18032aad25f3c0b.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18032aad2e07f09.png[/img]

    • 3

      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802dac7c49c5cd.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X>2︱X>1)=1-F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802dac7cd20fa6.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802dac7d52cf2a.png[/img]

    • 4

      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802d3b6ccc35f9.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X>2︱X>1)=1-F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802d3b6d467cd0.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802d3b6dc5478a.png[/img]