NPN增强型MOSFET的栅压大于阈值电压时，其栅极下方半导体层的表面处于（ ）
A: 多子积累状态
B: 多子耗尽状态
C: 少子反型状态
D: 不确定
A: 多子积累状态
B: 多子耗尽状态
C: 少子反型状态
D: 不确定
举一反三
- MOS结构在不同的偏置电压下，半导体表面会出现哪些状态？ A: 多子积累状态 B: 多子耗尽状态 C: 少子耗尽状态 D: 反型状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型