MOS结构在不同的偏置电压下,半导体表面会出现哪些状态?
A: 多子积累状态
B: 多子耗尽状态
C: 少子耗尽状态
D: 反型状态
A: 多子积累状态
B: 多子耗尽状态
C: 少子耗尽状态
D: 反型状态
举一反三
- 对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是? A: 本征状态 B: 平坦能带状态 C: 多子积累状态 D: 深耗尽状态
- 当在理想MIS结构上外加电压时,可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时,可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有? A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 平坦能带 D: 本征状态 E: 少子反型 F: 少子积累 G: 少子耗尽
- 对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累