• 2022-10-29
    n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时,以下说法错误的是( )。
    A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH
    B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小
    C: 此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系
    D: VGS越大,沟道电阻越大