n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时,以下说法错误的是( )。
A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH
B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小
C: 此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系
D: VGS越大,沟道电阻越大
A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH
B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小
C: 此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系
D: VGS越大,沟道电阻越大
D
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举一反三
- n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时,以下说法错误的是( )。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大,沟道电阻越大
- n沟增强型MOSFET源端接地,工作在可调电阻区时,以下说法错误的是()。 A: 可调电阻区的电压范围为 B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系 D: 越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大
- n沟增强型MOSFET源端接地,工作在可调电阻区时,以下说法错误的是( )。 未知类型:{'options': ['可调电阻区的电压范围为[img=132x22]18036f7dd8aa4fc.png[/img]', '近漏处比近源处的沟道厚度要小', '此时沟道区呈现电阻特性,电流[img=27x22]18036f7de16c892.png[/img]与[img=29x22]18036f7dea87386.png[/img]基本上是线性关系', '18036f7df2a3661.png越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大'], 'type': 102}
- P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。 A: 正确 B: 错误
- P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
内容
- 0
N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- 1
N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。
- 2
N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
- 3
P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- 4
N沟道场效应管工作在变阻区时,其等效电阻与GSS有关,VGS越大,则等效电阻()