• 2022-10-29
    n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时,以下说法错误的是( )。
    A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH
    B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小
    C: 此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系
    D: VGS越大,沟道电阻越大
  • D
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    内容

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      N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

    • 1

      N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。

    • 2

      N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置

    • 3

      P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

    • 4

      N沟道场效应管工作在变阻区时,其等效电阻与GSS有关,VGS越大,则等效电阻()