在上述电路中，当二极管正向导通时，二极管两端的电压约为0.700V，此时流过二极管的电流约为（）。
A: 1mA
B: 4.9mA
C: 6.8mA
D: 8.3A
A: 1mA
B: 4.9mA
C: 6.8mA
D: 8.3A
举一反三
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 【填空题】当加在二极管上的正向电压超过 () 电压 ( 硅管约为 () 伏 , 锗管约为 () 伏 ) 时 , 电流才随正向偏压的升高而迅速增大 , 二极管进入 () 状态 , 二极管正常导通后 , 其两端电压近于定值 , 硅管的正向压降约为 (), 锗管的正向压降约为 () 伏 .
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- （2）流过每个二极管的平均电流约为 。 A: 0.45 mA B: 0.5 mA C: 0.6 mA D: 1.2 mA
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V