实际掺杂常将离子注入和热扩散相结合使用。
正确
举一反三
- ⑫ 关于离子注入法和热扩散发法掺杂说法错误的是： A: 、导电型杂质掺杂用离子注入法，而热扩散法没有这样要求 B: 、离子注入法会造成晶体物理损伤，热扩散法不会 C: 、离子注入法主要控制电压高低和硅片的移动，热扩散法主要控制扩散的时间和杂质气体的压力 D: 、热扩散法要比离子注入法掺杂控制得更精确
- 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 以下几种掺杂方法中， 的横向扩散比较小，适合于浅结的制作。 A: 合金法 B: 生长法 C: 热扩散 D: 离子注入
- .以下几种掺杂方法中,横向扩散比较小,适合于浅结的制作。 A: 合金法 B: 生长法 C: 热扩散法 D: 离子注入法
内容
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使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
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离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（） A: 离子注入 B: 热扩散
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离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
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与扩散相比，离子注入有两个优点，离子注入的工艺，是低温工艺，可以获得良好的掺杂层。（ ）
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通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型,常用掺杂方法基本有扩散和离子注入,目前主要以______ 为主。