CMP技术的优点是:
A: 能够实现全局平坦化
B: 统一次抛光过程中对多层材料有用
C: 改善金属台阶覆盖
D: 去除硅片表面的缺陷
A: 能够实现全局平坦化
B: 统一次抛光过程中对多层材料有用
C: 改善金属台阶覆盖
D: 去除硅片表面的缺陷
举一反三
- 下面关于化学机械抛光技术CMP的叙述正确的选项是（）。 A: 平坦化不同的材料，各种各样的硅片表面能被平坦化 B: 在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用 C: 能获得全局平坦化 D: 由于减小了表面起伏，从而能改善金属台阶覆盖
- CMP是一种减薄层材料的工艺并能去除表面缺陷的平坦化技术。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: CMP是一种减薄层材料的工艺并能去除表面缺陷的平坦化技术。
- 化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。
- CMP是半导体制造中的什么工艺，其目的是 A: 化学机械抛光技术，实现全局平坦化 B: 化学沉积技术，实现全局平坦化 C: 化学机械抛光技术，实现局部平坦化 D: 化学沉积技术，实现局部平坦化