④ 硅圆片制成IC，需要在圆片上制作图形，图形直观理解其实就是芯片上线的走向等，关于制作工艺的说法错误的是
A: 、国外称制作工艺为掩模工艺（masking）
B: 、掩模工艺本质上是光刻工艺
C: 、光刻工艺要利用曝光的手段
D: 、曝光用的是无线电波
A: 、国外称制作工艺为掩模工艺（masking）
B: 、掩模工艺本质上是光刻工艺
C: 、光刻工艺要利用曝光的手段
D: 、曝光用的是无线电波
举一反三
- ③ 前工程和后工程是以（ ）为界区分 A: 、三极管的制作 B: 、硅圆片切分为芯片 C: 、硅圆片完成光刻 D: 、硅圆片完成曝光
- 光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统，光刻工艺中最主要的工艺控制项是（）和（）。
- 前工程和后工程是以（ ）为界区分 A: A、三极管的制作 B: B、硅圆片切分为芯片 C: C、硅圆片完成光刻 D: D、硅圆片完成曝光
- 光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统，光刻工艺中最主要的工艺控制项是条宽控制和（）。
- 在IC制造工艺流程中，使用最为频繁的工艺是 A: 加热工艺 B: 离子注入工艺 C: 光刻工艺 D: 沉积工艺