刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A: 选择性
B: 均匀性
C: 轮廓
D: 刻蚀图案
A: 选择性
B: 均匀性
C: 轮廓
D: 刻蚀图案
举一反三
- 刻蚀的均匀性由测量刻蚀前后晶圆的特定点厚度，并计算这些点的刻蚀速率得出，测试点的只要随机选取一片晶圆测试1个点的厚度即可。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 刻蚀的均匀性由测量刻蚀前后晶圆的特定点厚度，并计算这些点的刻蚀速率得出，测试点的只要随机选取一片晶圆测试1个点的厚度即可。
- 刻蚀参数有：（ ）。 A: 刻蚀偏差 B: 刻蚀速率 C: 均匀性 D: 选择比
- 刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。
- 晶圆制造过程中,检测刻蚀质量的好坏,一般通过以下几个方面体现出来:( )。 A: 刻蚀均匀性 B: 图形保真度 C: 刻蚀选择比 D: 刻蚀的洁净度