将曝光后的硅片放入某种化学溶液后,部分光刻胶去除,该工序称为
显影
举一反三
内容
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利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉,从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形,该工序称为: 。 A: 涂胶 B: 曝光 C: 显影 D: 刻蚀
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中国大学MOOC: 利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉,从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形,该工序称为
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光刻工艺中,在对衬底进行表面处理并旋涂光刻胶后需要进行烘烤,以去除光刻胶中的溶剂、消除胶层内应力,这一步称为(______ )或软烘;之后在光刻机上进行对准和曝光,曝光之后一般还要进行一次烘烤,以减轻驻波效应,这一步称为(______ );显影之后要进行一次烘烤,以消除显影过程中带来的水分并增强光刻胶的粘附性和抗刻蚀性,这一步称为(______ )。
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光刻软烘烤(前烘)的原因有( ) A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除 B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附 C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 D: 防止光刻胶沾到设备上
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利用化学或物理的方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料,从而把光刻胶上的图形转移到薄膜上的过程称为: A: 光刻 B: 刻蚀 C: 掺杂 D: 平坦化