杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
A: 激活杂质后
B: 一种物质在另一种物质中的运动
C: 预淀积
D: 高温多步退火
A: 激活杂质后
B: 一种物质在另一种物质中的运动
C: 预淀积
D: 高温多步退火
A
举一反三
内容
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杂质在硅中的扩散方式有哪些？
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通过扩散或者离子注入后,需要“激活”杂质原子,即使杂质原子与晶格中的硅原子成键。(<br/>)
- 2
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为 A: 替位式扩散 B: 恒定源扩散 C: 间隙式扩散 D: 有限源扩散
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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。