在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。
A: 显影
B: 光刻
C: 涂胶
D: 抛光
A: 显影
B: 光刻
C: 涂胶
D: 抛光
A
举一反三
- 中国大学MOOC: 在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。
- 在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
- 在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。 A: 薄膜制备 B: 光刻 C: 刻蚀 D: 金属化
- 光刻技术______ <br/>光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图像印制在涂有光致抗蚀剂______ 的薄膜或基材表面,然后进行选择性腐蚀,刻蚀出规定的图形。光刻工艺的基本过程包括涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶。
- 光刻加工的主要过程有涂胶、曝光、显影与烘片、刻蚀、剥膜。()
内容
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集成电路制造过程中的工艺步骤包括（ ） A: 薄膜沉积 B: 薄膜刻蚀 C: 光刻 D: 离子注入
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集成电路制造中图形转移是通过什么工艺实现的 A: 扩散 B: 刻蚀 C: 光刻 D: 蒸发
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光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作的?() A: 打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶 B: 打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀 C: 打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶 D: 打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶
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光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？ A: 打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶 B: 打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶 C: 打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶 D: 打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀
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集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。