关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 把硅片片对离子注入的方向倾斜30°可抑制通道效应。 把硅片片对离子注入的方向倾斜30°可抑制通道效应。 答案： 查看 举一反三 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 A: 偏转注入或倾斜硅片 B: 在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化 C: 提高离子注入的速度 D: 衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层） 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 中国大学MOOC: 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
