关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 A: 投影射程 B: 离子射程 C: 横向射程 D: 标准偏差 离子注入过程中,离子穿过硅片的总距离,称为: A: 射程 B: 投影射程 C: 横向射程 D: 投影射程的标准偏差 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度 离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )
