在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 ______ 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。
A: 沟道效应，
B: 横向效应，>
C: 沟道效应，>
D: 横向效应，
A: 沟道效应，
B: 横向效应，>
C: 沟道效应，>
D: 横向效应，
举一反三
- 在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。 A: 沟道效应，< B: 沟道效应，> C: 横向效应，< D: 横向效应，>
- 离子注入时，避免沟道效应的措施有。 A: 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度 B: 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化 C: 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层 D: 降低靶的温度。
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 离子注入横向效应