为了获得不同的结深，可以调节离子注入的参数是
能量
举一反三
内容
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离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
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离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )
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离子束加工技术利用注入效应加工的是( )。 A: 离子刻蚀 B: 溅射镀膜 C: 离子镀 D: 离子注入
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关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主
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离子注入调节阈值电压时，注入B离子对NMOSFET和PMOSFET的阈值电压偏移方向的影响是一样的。