晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A: An型掺杂区
B: BP型掺杂区
C: C栅氧化层
D: D场氧化层
A: An型掺杂区
B: BP型掺杂区
C: C栅氧化层
D: D场氧化层
举一反三
- 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。 A: n型掺杂区 B: P型掺杂区 C: 栅氧化层 D: 场氧化层
- 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。 A: A二氧化硅 B: B氮化硅 C: C单晶硅 D: D多晶硅
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: 二氧化硅氮化硅 B: 多晶硅硅化金属 C: 单晶硅多晶硅 D: 铝铜 E: 铝硅
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: A二氧化硅氮化硅 B: B多晶硅硅化金属 C: C单晶硅多晶硅 D: D铝铜 E: E铝硅
- 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度