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  • 2022-10-27 问题

    晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。 A: n型掺杂区 B: P型掺杂区 C: 栅氧化层 D: 场氧化层

    晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。 A: n型掺杂区 B: P型掺杂区 C: 栅氧化层 D: 场氧化层

  • 2022-10-27 问题

    晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。 A: An型掺杂区 B: BP型掺杂区 C: C栅氧化层 D: D场氧化层

    晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。 A: An型掺杂区 B: BP型掺杂区 C: C栅氧化层 D: D场氧化层

  • 2022-11-04 问题

    二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷

    二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷

  • 2022-10-26 问题

    氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。

    氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。

  • 2022-11-03 问题

    铝的阳极氧化氧化膜的生成包括两个同时进行的过程，一个是（）过程，形成氧化膜，另一个是（）过程。氧化膜的结构包括（）层和（）层。

    铝的阳极氧化氧化膜的生成包括两个同时进行的过程，一个是（）过程，形成氧化膜，另一个是（）过程。氧化膜的结构包括（）层和（）层。

  • 2022-06-30 问题

    对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot

    对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot

  • 2022-06-07 问题

    Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷

    Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷

  • 2022-06-29 问题

    氧化层高度应控制在多少？

    氧化层高度应控制在多少？

  • 2021-04-14 问题

    玉的氧化层比碳化层的年代要久远。

    玉的氧化层比碳化层的年代要久远。

  • 2022-10-26 问题

    氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。 A: 正确 B: 错误

    氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。 A: 正确 B: 错误

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