关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。 A: 电活性 B: 晶格损伤 C: 横向效应 D: 沟道效应 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A: 电活性B: 晶格损伤C: 横向效应D: 沟道效应 答案： 查看 举一反三 高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。离子注入过程是一个平衡过程。 高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。离子注入过程是一个平衡过程。 A: 正确 B: 错误 当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。 A: 正确 B: 错误
