离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。 A: 电活性 B: 晶格损伤 C: 横向效应 D: 沟道效应
- 高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。离子注入过程是一个平衡过程。 A: 正确 B: 错误
- 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为